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珠海歐美克儀器有限公司
空青
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新機(jī)遇，新挑戰(zhàn)！第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)成功召開(kāi)

新機(jī)遇，新挑戰(zhàn)！第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)成功召開(kāi)

1399 點(diǎn)擊1399
對(duì)話(huà)丨第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)特邀專(zhuān)家采訪(fǎng)實(shí)況

對(duì)話(huà)丨第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)特邀專(zhuān)家采訪(fǎng)實(shí)況

1012 點(diǎn)擊1012
第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)參展企業(yè)風(fēng)采速覽

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978 點(diǎn)擊978
第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)隆重開(kāi)幕

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1037 點(diǎn)擊1037
碳化硅，還是一筆好買(mǎi)賣(mài)嗎?

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1296 點(diǎn)擊1296
省級(jí)研究院正式揭牌，專(zhuān)攻碳化硅！

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1706 點(diǎn)擊1706
PPT：全球高純碳化硅粉體制備企業(yè)一覽

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1750 點(diǎn)擊1750
碳化硅企業(yè)組團(tuán)赴港上市，全球化戰(zhàn)略已“鋪開(kāi)”

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1502 點(diǎn)擊1502
晶圓邊緣的缺陷挑戰(zhàn)，值得重視！

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1315 點(diǎn)擊1315
尋找“國(guó)產(chǎn)好粉材”之中宜創(chuàng)芯高純碳化硅粉體

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1217 點(diǎn)擊1217
鍵合技術(shù)：SiC襯底降本新技術(shù)！

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1333 點(diǎn)擊1333
除了Wolfspeed，美國(guó)還有哪幾家搞碳化硅？

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1329 點(diǎn)擊1329
碳化硅晶圓片劃片切割方法

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1260 點(diǎn)擊1260
SiC單晶生長(zhǎng)：三大方法優(yōu)劣全解析

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1213 點(diǎn)擊1213
破局SiC加工難題：CMP材料整體解決方案全解析

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1236 點(diǎn)擊1236
大尺寸激光切片設(shè)備：未來(lái)8英寸SiC切片的核心設(shè)備

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1318 點(diǎn)擊1318
團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《晶體生長(zhǎng)用高純碳化硅粉體》發(fā)布！

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2152 點(diǎn)擊2152
第三代半導(dǎo)體周報(bào)：并購(gòu)、新品、合作，碳化硅領(lǐng)域“上新”

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1523 點(diǎn)擊1523
年產(chǎn)100萬(wàn)毫米！30萬(wàn)片！又一個(gè)碳化硅項(xiàng)目啟動(dòng)

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2181 點(diǎn)擊2181
液相法！P型4H-SiC單晶制備的關(guān)鍵路徑

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932 點(diǎn)擊932
殲-20換裝SiC雷達(dá)？怎么個(gè)事

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1822 點(diǎn)擊1822
天岳先進(jìn)：SiC襯底批量供應(yīng)日本市場(chǎng)

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1336 點(diǎn)擊1336
國(guó)產(chǎn)碳化硅外延設(shè)備“打的火熱”

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1758 點(diǎn)擊1758
SiC晶體外延生長(zhǎng)的“奧秘”

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1413 點(diǎn)擊1413
天域半導(dǎo)體更新招股書(shū)！1-5月SiC營(yíng)收2.57億

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1876 點(diǎn)擊1876
碳化硅領(lǐng)域兩起重大并購(gòu)

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1435 點(diǎn)擊1435
12英寸SiC玩家+1

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1575 點(diǎn)擊1575
新動(dòng)態(tài)！多項(xiàng)碳化硅相關(guān)領(lǐng)域合作

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1186 點(diǎn)擊1186
車(chē)用SiC功率器件技術(shù)與市場(chǎng)前景探討

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1612 點(diǎn)擊1612
聞泰科技管理層“大換血”，聚焦半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

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