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張澤芳

推薦破局SiC加工難題:CMP材料整體解決方案全解析

中國粉體網(wǎng)訊 SiC單晶材料作為第三代半導(dǎo)體襯底材料,在制作高頻、大功率電子器件等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景,而SiC加工技術(shù)對制作襯底材料起到?jīng)Q定作用。典型的SiC晶體加工過程主要分為切割、研磨和拋光三道關(guān)鍵工序。切割加工是第[更多]

資訊 碳化硅襯底CMP拋光切磨拋SiC晶體張澤芳
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