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SiC單晶

推薦SiC晶體外延生長的“奧秘”

中國粉體網(wǎng)訊 與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,SiC功率器件不能直接制作在SiC單晶材料上,必須在導(dǎo)通型SiC單晶襯底上使用外延技術(shù)生長出高質(zhì)量的外延材料,然后在外延層上制造各類器件。之所以不直接在SiC襯底上制造SiC器件,[更多]

資訊 SiC單晶第三代半導(dǎo)體SiC器件SiC外延技術(shù)SiC外延片
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