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產(chǎn)品簡介
技術(shù)參數(shù)：
**溫度 | 1000℃ |
工作溫度 | 850℃ |
控溫精度 | ±1℃（以儀表顯示為準） |
爐膛截面均勻度 | ±3℃(無氣氛的狀態(tài)下，恒溫區(qū)左、中、右用測溫儀測) |
爐內(nèi)氣氛 | 空氣 |
表面溫升 | ≤45℃（以表面測溫儀測定為準） |
**加熱功率 | 約45kW |
保溫功率 | 約21kW(在850℃) |
電源 | 380VAC 50Hz 三相五線制 |
傳送速度 | 40－240mm/min 常用150mm/min |
加熱方式 | 耐高溫發(fā)熱板上下加熱 |
適用于高容、高壓鎳電極片式陶瓷電容器芯片快燒工藝，中在氮氣氛下進行再氧化工藝燒結(jié)，可以代替日本、韓國進口再氧化爐。
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