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真空極限：濺射室：8.0×10-5Pa（空載，經(jīng)烘烤除氣后）； 抽速：濺射室（空載）從大氣抽至4.0×10-4Pa≤30min； 基片臺尺寸:Φ120mm范圍內(nèi)可裝卡各種規(guī)格基片； 濺射室腔體加熱：可實現(xiàn)濺射室內(nèi)環(huán)境加熱，加熱溫度室溫～300℃；

特點/用途： 磁控濺射設(shè)備主要由進樣室、濺射室、永磁磁控濺射靶、脈沖偏壓電源、樣品臺、樣品臺加熱、真空系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、PLC+工控機+液晶屏全自動控制系統(tǒng)等組成。該設(shè)備操控方便；結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小。 磁控濺射設(shè)備用于納米量級復(fù)合膜、多層膜等制備；適用于三靶單獨濺射、依次濺射、共同濺射；可濺射磁性材料；適用于制備金屬膜、合金膜、半導(dǎo)體膜、陶瓷膜等。 基于該設(shè)備，離子源清洗裝置在Load-lock室，樣品先經(jīng)過清洗，在由送樣系統(tǒng)傳遞到真空濺射腔室，進行下一步的濺射鍍膜。