中國(guó)粉體網(wǎng)訊 碳化硅(SiC)作為最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料,具有寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高熱導(dǎo)率、高飽和電子漂移速度等優(yōu)異的特性,是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料,廣泛應(yīng)用于光伏、風(fēng)電、軌道交通、新能源汽車、[更多]
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