推薦氧化鋁拋光液“磨”法降服“硬漢”碳化硅！

中國粉體網訊 碳化硅（SiC）作為最具代表性的第三代半導體材料，具有寬禁帶、高擊穿電場強度、高熱導率、高飽和電子漂移速度等優(yōu)異的特性，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料，廣泛應用于光伏、風電、軌道交通、新能源汽車、[更多]