推薦又一國內企業(yè)實現(xiàn)8英寸SiC關鍵技術突破

中國粉體網(wǎng)訊 4月9日，世紀金芯宣布他們實現(xiàn)了8英寸SiC關鍵技術突破！世紀金芯在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。2024年2月，世紀金芯半導體8英寸SiC加工線正式貫通并進入小[更多]