參考價(jià)格
面議型號(hào)
場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro品牌
國(guó)儀量子產(chǎn)地
北京樣本
暫無探測(cè)器：
旁側(cè)二次電子探測(cè)器（ETD） 低真空二次電子探測(cè)器（LVD） 插入式背散射電子探測(cè)器（BSED）加速電壓：
200 V ~ 30 kV電子槍：
肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子槍電子光學(xué)放大：
1 ~ 1,000,000 x光學(xué)放大：
-分辨率：
0.9 nm @ 30 kV，SE看了場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro的用戶又看了
留言詢價(jià)
電話詢價(jià)
虛擬號(hào)將在 180 秒后失效
使用微信掃碼撥號(hào)
SEM4000Pro是一款分析型熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡，配備了高亮度、長(zhǎng)壽命的肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍。三級(jí)磁透鏡設(shè)計(jì)，束流**可達(dá)200 nA，在EDS、EBSD、WDS等應(yīng)用上具有明顯優(yōu)勢(shì)。標(biāo)配低真空模式，以及高性能的低真空二次電子探測(cè)器和插入式背散射電子探測(cè)器，可觀察導(dǎo)電性弱或不導(dǎo)電樣品。標(biāo)配的光學(xué)導(dǎo)航模式，以及直觀的操作界面，讓您的分析工作倍感輕松。
01配備高亮度、長(zhǎng)壽命的肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子槍
02分辨率高，30 kV 下優(yōu)于 0.9 nm 的極限分辨率
03三級(jí)磁透鏡設(shè)計(jì)，束流可調(diào)范圍大，**支持 200 nA 的分析束流
04無漏磁物鏡設(shè)計(jì)，可直接觀察磁性樣品
05標(biāo)配低真空模式，以及高性能的低真空二次電子探測(cè)器和插入式背散射電子探測(cè)器
06標(biāo)配的光學(xué)導(dǎo)航模式，中文操作軟件，讓分析工作更輕松
應(yīng)用案例
產(chǎn)品參數(shù)
關(guān)鍵參數(shù) 高真空分辨率 0.9 nm @ 30 kV，SE 低真空分辨率 2.5 nm @ 30 kV，BSE，30 Pa 1.5 nm @ 30 kV, SE, 30 Pa 加速電壓 200 V ~ 30 kV 放大倍率 1 ~ 1,000,000 x 電子槍類型 肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子槍 樣品室 真空系統(tǒng) 全自動(dòng)控制 低真空模式 **180 Pa 攝像頭 雙攝像頭 （光學(xué)導(dǎo)航+樣品倉(cāng)內(nèi)監(jiān)控） 行程 X=110 mm，Y=110 mm，Z=65 mm T: -10°~+70°，R: 360° 探測(cè)器和擴(kuò)展 標(biāo)配 旁側(cè)二次電子探測(cè)器（ETD） 低真空二次電子探測(cè)器（LVD） 插入式背散射電子探測(cè)器（BSED） 選配 能譜儀（EDS） 背散射衍射（EBSD） 插入式掃描透射探測(cè)器（STEM） 樣品交換倉(cāng) 軌跡球&旋鈕控制板 軟件 語言 中文 操作系統(tǒng) Windows 導(dǎo)航 光學(xué)導(dǎo)航、手勢(shì)快捷導(dǎo)航 自動(dòng)功能 自動(dòng)亮度對(duì)比度、自動(dòng)聚焦、自動(dòng)像散
暫無數(shù)據(jù)！
摘要：硬脂酸鎂是制藥界廣泛應(yīng)用的藥物輔料，因?yàn)榫哂辛己玫目拐承?、增流性和?rùn)滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用，作為常用的藥用輔料潤(rùn)滑劑，比表面積對(duì)硬脂酸鎂有很大的影響，硬脂酸鎂的比表面積越大，其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點(diǎn)、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、汽車工業(yè)、紡織、化工、航空航天等國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結(jié)構(gòu)，是掃描電鏡重要的應(yīng)用領(lǐng)
2022-09-27
助力“土壤三普” | 氣體吸附技術(shù)在土壤膠體表征中的應(yīng)用 有關(guān)吸附等溫線中的滯后環(huán) 有關(guān)分子篩結(jié)構(gòu) 淺析BET BJH孔徑分布計(jì)算模型 有關(guān)BET測(cè)試中的常見問題（三） 有關(guān)BET測(cè)試中的常見問題（二） 有關(guān)BET測(cè)試中的常見問題（一） 動(dòng)、靜態(tài)吸附法比較 淺析吸附方式中的t-plot 
近日，國(guó)儀量子首屆總裁改善周活動(dòng)成功舉辦。這不僅標(biāo)志著國(guó)儀量子精益之旅的又一次奮勇邁進(jìn)，更彰顯了全體同仁聚力革新的決心。本次活動(dòng)匯聚了70余位來自公司總部、各事業(yè)部及職能部門的核心骨干參與。大家以強(qiáng)烈
8月3-4日，第二屆鉆石色心量子傳感儀器應(yīng)用研討會(huì)在合肥量子科儀谷成功舉行。本次研討會(huì)由中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理學(xué)院與國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司聯(lián)合主辦，吸引了來自全國(guó)高校、科研院所、相關(guān)企業(yè)的近百
國(guó)儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹 在芯片制造工藝中，金屬柵極刻蝕是構(gòu)建晶體管關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié)。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性，對(duì)芯片的性能
國(guó)儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹 隨著芯片集成度不斷攀升，芯片后道 Al 互連技術(shù)成為確保信號(hào)傳輸與芯片功能實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在芯片工作時(shí)，Al 互連導(dǎo)線
國(guó)儀量子電鏡在芯片鈍化層開裂失效分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域，芯片鈍化層扮演著至關(guān)重要的角色。它作為芯片的 “防護(hù)鎧甲”，覆蓋在芯片表面，隔絕外界環(huán)境中的濕氣、雜質(zhì)以及機(jī)械應(yīng)力等不利
場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro的工作原理介紹？場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro的使用方法？場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro多少錢一臺(tái)？場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro使用的注意事項(xiàng)場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro的說明書有嗎？場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro的操作規(guī)程有嗎？場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro的報(bào)價(jià)含票含運(yùn)費(fèi)嗎？場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro有現(xiàn)貨嗎？場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡 SEM4000Pro包安裝嗎？
手機(jī)版：
工商已核實(shí)
