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晶圓測(cè)厚儀 MX203-4-21是一款手動(dòng)載片的晶圓幾何特性量測(cè)儀,適用于直徑分別為 50 mm、75 mm和 100 mm的硅片。該設(shè)備專為

控制晶圓厚度與形狀而設(shè)計(jì),同時(shí)可選配應(yīng)力評(píng)估功能以滿足更全面的檢測(cè)需求。

晶圓測(cè)厚儀 MX203-4-21與所有其他 E+H 晶圓幾何量測(cè)儀器一樣,采用了 E+H 的非接觸式電容式距離傳感器技術(shù)。每片晶圓的純測(cè)量時(shí)間*長為 5 秒,在操作員進(jìn)行手動(dòng)裝載與卸載的情況下,完成一個(gè)完整的晶圓測(cè)量流程大約需要 20 秒。

The Wafer Geometry Station晶圓幾何特性測(cè)量工作站晶圓幾何測(cè)量站由一個(gè)下探針頭和一個(gè)上探針頭構(gòu)成。每個(gè)探針頭均以一塊平板為基礎(chǔ),該平板中徑向排列嵌入了 21 個(gè)非接觸式電容距離傳感器。兩塊傳感器板呈水平安裝,并以面對(duì)面的方式精確對(duì)齊。通過用參考晶圓進(jìn)行簡(jiǎn)單的校準(zhǔn),即可獲得每對(duì)傳感器之間的距離。

Measurement Principle 測(cè)量原理

厚度Thicknes和翹曲度Bow/Warp測(cè)量在一個(gè)周期內(nèi)完成。在測(cè)量過程中,晶圓自由地放置在下探針頭內(nèi)部安裝的支撐點(diǎn)上。對(duì)頂部傳感器至晶圓正面的距離,以及底部傳感器至晶圓背面的距離進(jìn)行測(cè)量。

晶圓厚度由每對(duì)傳感器之間己知距離減去所測(cè)得的頂部與底部距離之和計(jì)算得出。此外,翹曲測(cè)量還額外利用了底部傳感器測(cè)得的距離數(shù)據(jù)。在整個(gè)測(cè)量過程中,晶圓始終保持靜止?fàn)顟B(tài),從而確保了測(cè)量結(jié)果的高度重復(fù)性和精確性。

Measurement type 測(cè)量類別

Thickness 晶圓厚度

Flatness (TTV) 平整度/總厚度變化

Bow 李曲

Warp 翹曲

Stress 應(yīng)力(選配)