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作為中微**代電介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品，Primo DRIE?是12英寸雙反應(yīng)臺多反應(yīng)腔主機(jī)系統(tǒng)，可靈活裝置多達(dá)三個(gè)雙反應(yīng)臺反應(yīng)腔（六個(gè)反應(yīng)臺）。每個(gè)反應(yīng)腔都可以同時(shí)加工兩片晶圓。該設(shè)備運(yùn)用了中微具有自主知識產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新技術(shù)，包括甚高頻和低頻混合射頻去耦合反應(yīng)等離子體源、等離子體隔離環(huán)、以及用于控制腔體內(nèi)反應(yīng)環(huán)境的先進(jìn)工藝組件。Primo DRIE刻蝕設(shè)備可用于加工包括氧化硅、氮化硅及低介電系數(shù)膜層等所有的電介質(zhì)材料。Primo DRIE于2007年發(fā)布之后，由于其較低的生產(chǎn)成本、較高的生產(chǎn)效率和優(yōu)異的芯片加工性能，已在國際主流芯片生產(chǎn)線上投入量產(chǎn)。
雙反應(yīng)臺腔體設(shè)計(jì)具有更高的產(chǎn)出效率
雙反應(yīng)臺獨(dú)立射頻系統(tǒng)和刻蝕終端控制系統(tǒng)
擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的射頻匹配系統(tǒng)
擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的等離子體隔離技術(shù)
競爭優(yōu)勢
高生產(chǎn)效率，低生產(chǎn)成本（CoO）
設(shè)備占地面積小
一體整合的除膠能力及表面電荷減除能力（Primo iDEA?系統(tǒng)）
暫無數(shù)據(jù)！
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