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面議型號
熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF450品牌
北京泰科諾產(chǎn)地
北京樣本
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需求描述
單位名稱
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設(shè)備名稱:熱絲 CVD 金剛石膜沉積設(shè)備
設(shè)備型號:HF450
真空腔室結(jié)構(gòu):立式前開門結(jié)構(gòu),后置抽氣系統(tǒng),雙層水冷
真空腔室尺寸:Φ450mmxH500mm
真空系統(tǒng):復(fù)合分子泵高真空系統(tǒng)
基片臺尺寸:Φ100mm
襯底溫度:600 ~ 1100℃
電源:專用熱絲電源 400A, 恒流或恒功率模式
氣路控制:4 路氣體流量控制
控制方式:PLC 觸摸屏控制
占地面積:主機 L1200mm×W1060mm×H1900mm
總功率:≥ 20kW
暫無數(shù)據(jù)!
產(chǎn)品質(zhì)量
售后服務(wù)
易用性
性價比
迎中秋,慶國慶中秋佳節(jié)和國慶節(jié)都是中國傳統(tǒng)的重要節(jié)日。中秋節(jié)是表達親情、團圓和感恩之情的日子,國慶節(jié)則是紀(jì)念祖國的生日和慶祝人民的幸福生活。今年,中秋與國慶相繼而至,也是一次雙節(jié)連假。人們在這段時間,
熱絲CVD采用高溫下的低壓氣相反應(yīng),碳氫化合物在高溫下發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成膜先驅(qū)物,當(dāng)樣品溫度合適時,這些膜先驅(qū)物在樣品表面沉積形成金剛砂膜。低壓化學(xué)氣相沉積形成的膜層厚度及成分較為均勻,膜層致密。CV
在薄膜材料制備技術(shù)中,原子層沉積(ALD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)是兩種被廣泛應(yīng)用的核心技術(shù)。盡管二者均通過氣相前驅(qū)體的化學(xué)反應(yīng)實現(xiàn)薄膜生長,但在工藝機制、控制精度、反應(yīng)條件及應(yīng)用場景等方面存在本質(zhì)差
在材料表面改性和薄膜制備技術(shù)的廣闊領(lǐng)域中,磁控濺射技術(shù)以其獨特的優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用,成為了現(xiàn)代材料科學(xué)與工程領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。從微電子器件中精密的金屬電極薄膜,到光學(xué)領(lǐng)域中提升光學(xué)元件性能的增透膜、低
在真空技術(shù)領(lǐng)域,單位換算和計算公式是進行相關(guān)工作的基礎(chǔ)。準(zhǔn)確掌握這些知識,對于真空系統(tǒng)的設(shè)計、運行、檢測等環(huán)節(jié)都至關(guān)重要。下面將詳細介紹常用的真空單位換算及17個真空常用計算公式。常用的真空單位換算真