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熱絲CVD采用高溫下的低壓氣相反應(yīng)，碳?xì)浠衔镌诟邷叵掳l(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成膜先驅(qū)物，當(dāng)樣品溫度合適時(shí)，這些膜先驅(qū)物在樣品表面沉積形成金剛砂膜。低壓化學(xué)氣相沉積形成的膜層厚度及成分較為均勻，膜層致密。CV

近期，南京大學(xué)現(xiàn)代工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院譚海仁教授課題組，運(yùn)用涂布印刷、真空沉積等量產(chǎn)化技術(shù)，在國際上首次實(shí)現(xiàn)了全鈣鈦礦疊層光伏組件的制備，開辟了大面積鈣鈦礦疊層電池的量產(chǎn)化、商業(yè)化的全新路徑。無論是順境

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在薄膜材料制備技術(shù)中，原子層沉積（ALD）和化學(xué)氣相沉積（CVD）是兩種被廣泛應(yīng)用的核心技術(shù)。盡管二者均通過氣相前驅(qū)體的化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)薄膜生長，但在工藝機(jī)制、控制精度、反應(yīng)條件及應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在本質(zhì)差

在材料表面改性和薄膜制備技術(shù)的廣闊領(lǐng)域中，磁控濺射技術(shù)以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用，成為了現(xiàn)代材料科學(xué)與工程領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。從微電子器件中精密的金屬電極薄膜，到光學(xué)領(lǐng)域中提升光學(xué)元件性能的增透膜、低

在真空技術(shù)領(lǐng)域，單位換算和計(jì)算公式是進(jìn)行相關(guān)工作的基礎(chǔ)。準(zhǔn)確掌握這些知識(shí)，對(duì)于真空系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、運(yùn)行、檢測(cè)等環(huán)節(jié)都至關(guān)重要。下面將詳細(xì)介紹常用的真空單位換算及17個(gè)真空常用計(jì)算公式。常用的真空單位換算真