公司介紹： 山東中臨半導(dǎo)體新材料有限公司注冊(cè)資本4666萬(wàn)元人民幣，建筑面積3.8萬(wàn)平方米，立項(xiàng)總投資12億元（分二期完成）。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值5億元，稅收2500萬(wàn)元。是國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體用新材料、國(guó)家高新技術(shù)及軍民融合企業(yè)，公司主要研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售航空航天用氮化硅、氮化鋁、氮化硼粉體及制品。企業(yè)通過(guò)了國(guó)軍標(biāo)GJB9001B武器裝備質(zhì)量管理體系認(rèn)證。 公司與清華大學(xué)材料學(xué)院、山東大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院開(kāi)展深入的產(chǎn)學(xué)研合作，自主研發(fā)的高壓等離子（物化）緩控自蔓延合成法工藝技術(shù)，是國(guó)內(nèi)首批、全球第四家掌握該核心技術(shù)的企業(yè)；自主研發(fā)的氮化硅粉體用高壓等離子（物化）緩控自蔓延生產(chǎn)設(shè)備是國(guó)內(nèi)單機(jī)容積最大、產(chǎn)量較佳的關(guān)鍵設(shè)備，已通過(guò)國(guó)家首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備項(xiàng)目。 公司主要產(chǎn)品具有優(yōu)質(zhì)的機(jī)械、電學(xué)、熱學(xué)、耐化學(xué)腐蝕性能等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于航空航天、武器裝備、5G通訊、醫(yī)療器械、半導(dǎo)體、新能源汽車(chē)、電子等領(lǐng)域。
部分產(chǎn)品介紹
1.氮化硅（Si3N4）
產(chǎn)品介紹：
氮化硅（Si3N4）是一種由氮和硅元素組成的無(wú)機(jī)化合物，具有a和β兩種晶型，均為六方晶系。α-Si3N4為顆粒結(jié)晶，B-SiN為針狀結(jié)晶體。氮化硅具有硬度大、強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)小、高溫蠕變小、抗氧化性能好、熱腐蝕性能好、摩擦系數(shù)小等諸多優(yōu)異性能，被廣泛應(yīng)用于航天航空、高鐵、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域，是絕緣柵雙極晶體管以及氮化硅功率模塊的重要核心散熱材料。
優(yōu)異性能：
1）高硬度：氮化硅的硬度和強(qiáng)度極高，遠(yuǎn)超許多傳統(tǒng)材料，如鋼和普通陶瓷，適合高磨損和高應(yīng)力環(huán)境。
2）耐高溫性：具有出色的耐高溫性能，可在高溫環(huán)境中長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行，耐受溫度高達(dá)1700℃，適合高溫應(yīng)用場(chǎng)景。
3）耐腐蝕性：對(duì)大多數(shù)化學(xué)物質(zhì)（包括酸、堿和溶劑）表現(xiàn)出強(qiáng)抗腐蝕性，適合嚴(yán)苛化學(xué)環(huán)境。
4）優(yōu)異的絕緣性能：是一種優(yōu)良的絕緣材料，具有高電絕緣性能，適用于高電壓和高溫環(huán)境，如電子電力領(lǐng)域。
5）良好的導(dǎo)熱性：具有較高的導(dǎo)熱性能，可作為高溫散熱材料使用，適合需要高效散熱的場(chǎng)合。
2.氮化鋁（AIN）
產(chǎn)品介紹：
氮化鋁是由鋁原子為中心和臨近的4個(gè)氮原子組成的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的六方纖鋅礦共價(jià)化合物，其晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)似于金剛石，禁帶寬度為6.2eV，外觀為白色或灰白色粉末。本征熱導(dǎo)率極高，超過(guò)金屬鋁，接近銅，為320W/mK，是目前熱導(dǎo)率綜合性能最優(yōu)異的功能陶瓷材料之一。氮化鋁憑借其高熱導(dǎo)率、與硅匹配的熱膨脹系數(shù)、高電阻率、高擊穿強(qiáng)度和高機(jī)械性能，成為半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的關(guān)鍵材料，具有廣闊的應(yīng)用前景。
優(yōu)異性能：
1）超高熱導(dǎo)率：熱導(dǎo)率是氧化鋁陶瓷的5-10倍，與氧化鈹（BeO）相當(dāng)，可達(dá)200W/mK以上，適合高效散熱。
2）與硅匹配的熱膨脹系數(shù)：熱膨脹系數(shù)為4.3×10-6/K，與半導(dǎo)體硅材料（3.5-4.0×10-6/K）高度匹配，減少熱應(yīng)力，提升器件可靠性。
3）優(yōu)異的機(jī)械性能：抗彎強(qiáng)度高于氧化鈹陶瓷，接近氧化鋁，適合高機(jī)械強(qiáng)度要求的應(yīng)用。
4）優(yōu)良的電性能：具有極高的絕緣電阻和低介質(zhì)損耗，適合高頻、高功率電子器件。
5）良好的電路材料相容性：支持多層布線，實(shí)現(xiàn)封裝的高密度和小型化，適合現(xiàn)代電子封裝需求。
6）無(wú)毒環(huán)保：符合歐盟ROHS標(biāo)準(zhǔn)，可替代有毒材料，如氧化鈹。
3.六方氮化硼（h-BN）
產(chǎn)品介紹：
六方氮化硼（h-BN）是一種由硼原子和氮原子交替排列形成的層狀六方晶體結(jié)構(gòu)共價(jià)化合物。其外觀通常呈現(xiàn)為白色、松散且具有光滑感的粉末。與石墨不同，六方氮化硼是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，它的電絕緣性能、透電磁波性能、中子吸收性能、介電性能、空氣中的熱穩(wěn)定性能比石墨更為突出，六方氮化硼是目前較為優(yōu)良的絕緣、導(dǎo)熱、透波材料。這些特性使得六方氮化硼在電子、核能、航空航天等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
公司六方氮化硼產(chǎn)品主要以進(jìn)口硼酸與三聚氰胺為原料，經(jīng)自研工藝反應(yīng)合成，具有雜質(zhì)少、純度高、結(jié)晶度良好、粒度可調(diào)，品種多樣化等優(yōu)點(diǎn)�？筛鶕�(jù)客戶(hù)需求，提供定制化產(chǎn)品。六方氮化硼為白色，熔點(diǎn)接近3000°C，結(jié)構(gòu)類(lèi)似石墨，因此又叫做”白石墨”。單層的六方氮化硼熱導(dǎo)率極高，理論上高達(dá)2000W/mK，是金屬銅熱導(dǎo)率的5倍，六方氮化硼是目前較為優(yōu)良的絕緣、導(dǎo)熱、透波材料。
優(yōu)異性能：
1）超高熱導(dǎo)率：其層內(nèi)熱導(dǎo)率可達(dá)300-400W/m·K，遠(yuǎn)超大多數(shù)電絕緣體，適合高效散熱。
2）高溫穩(wěn)定性：無(wú)明確熔點(diǎn)，在氮?dú)饣驓鍤庵锌赡褪?800°C高溫，且高溫下無(wú)軟化變形，穩(wěn)定性?xún)?yōu)異。
3）優(yōu)良電性能：具備高絕緣電阻和低介電損耗，滿(mǎn)足5G射頻芯片的散熱和信號(hào)傳輸雙重需求。
4）強(qiáng)耐腐蝕性：在高溫氧化環(huán)境中仍保持穩(wěn)定，適用于航天發(fā)動(dòng)機(jī)噴口、核反應(yīng)堆屏蔽材料等嚴(yán)苛環(huán)境。
5）潤(rùn)滑與環(huán)境適配性好，作為潤(rùn)滑添加劑可降低機(jī)械能耗，適配真空高溫極端環(huán)境。
6）無(wú)毒無(wú)害，可替代氧化鈹（BeO）等有毒材料，符合歐盟RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保安全。
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