中國粉體網(wǎng)訊  據(jù)美國白宮最新發(fā)布的一項行政命令顯示，特朗普對中國征收的關稅總額為145%，而不是之前所說的125%。

隨后，中方?jīng)Q定對美所有進口商品加征125%關稅，并表示：在目前關稅水平下，美國輸華商品已無市場接受可能性。如果美方繼續(xù)關稅數(shù)字游戲，中方將不予理會。

在這場沒有硝煙的戰(zhàn)爭中，CMP拋光作為半導體制程中的重要一環(huán)，正面臨怎樣的變局？

01.行業(yè)現(xiàn)狀

當前，化學機械拋光技術(shù)（CMP）是唯一可以實現(xiàn)全局平坦化的關鍵技術(shù)，隨著集成電路元件的最小特征尺寸縮小到7nm甚至5nm，CMP技術(shù)在過去的幾十年中得到了突飛猛進的發(fā)展，其拋光工藝已達到納米級，被廣泛應用于半導體加工制程，成為納米級集成電路制造的標準過程，促進了集成電路技術(shù)和摩爾定律的穩(wěn)步發(fā)展。

其中，拋光設備及拋光材料是CMP工藝過程中最關鍵要素。其性能和相互之間的匹配決定了CMP中的材料去除率和拋光后的表面質(zhì)量。

設備方面，目前全球CMP設備市場主要由美國應用材料和日本荏原占據(jù)，處于高度壟斷狀態(tài)。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，上述兩家制造商的CMP設備全球市場占有率超過90%，尤其在14nm以下先進制程工藝產(chǎn)線上使用的CMP設備主要由美國應用材料和日本荏原兩家國際巨頭提供。

中國大陸2022年CMP設備市場規(guī)模達6.66億美元，預計2025年中國CMP設備市場規(guī)模將突破93億元，年增速近20%。但目前絕大部分高端CMP設備仍然依賴于進口，主要由美國應用材料和日本荏原兩家提供。

全球CMP拋光液市場企業(yè)占比

全球CMP拋光墊市場企業(yè)占比

拋光耗材方面，目前國產(chǎn)化率仍較低，拋光液市場主要被CMC Materials、Resonac、Versum和Fujimi等美日企業(yè)壟斷，拋光墊全球市場市場份額則主要被杜邦占據(jù)。

目前，CMP領域成為國產(chǎn)替代任務最為緊迫的領域之一。

02.關稅大戰(zhàn)后對我國CMP行業(yè)的影響

由于美國不斷加征關稅以及中國霸氣反擊，中國從美國采購CMP設備及拋光材料的成本必然陡增。

據(jù)專業(yè)人士透露，若美系設備采購成本增加20%，其28納米制程的毛利率可能下降5個百分點。國內(nèi)晶圓廠勢必將面臨兩難選擇：高價采購美系產(chǎn)品擠壓利潤，或轉(zhuǎn)向日韓、歐洲供應商（如日本荏原），但后者同樣面臨技術(shù)適配性和產(chǎn)能限制。

在此背景下，中國CMP產(chǎn)業(yè)或迎來國產(chǎn)替代窗口期。

設備方面，華海清科2024年營收達34.14億元，同比增長36.12%，公司歸因于“成功把握市場機遇，CMP產(chǎn)品市場占有率和銷售規(guī)模持續(xù)提高，同時新產(chǎn)品研發(fā)和銷售進展順利”。晶亦精微亦形成了完整的CMP技術(shù)體系，具備8英寸、12英寸、6/8英寸兼容CMP工藝研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化能力。

晶亦精微CMP設備

材料方面，安集科技作為國內(nèi)CMP拋光液領軍者，一直在不斷加大研發(fā)投入，拓寬產(chǎn)品布局，橫向拓寬產(chǎn)品線打造半導體材料平臺，現(xiàn)已成功打破了國外廠商對集成電路領域化學機械拋光液、部分功能性濕電子化學品、電鍍液及添加劑的壟斷，三大核心產(chǎn)品在特定領域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破。鼎龍股份已成長為國內(nèi)唯一一家全面掌握拋光墊全流程核心研發(fā)和制造技術(shù)的CMP拋光墊供應商。2024年度業(yè)績預告顯示，鼎龍股份CMP拋光墊銷售收入約7.31億元，同比增長約75%；CMP拋光液、清洗液合計銷售收入約2.16億元，同比增長約180%。

除了安集科技、鼎龍股份外，國內(nèi)尚有上海新陽、萬華化學、江豐電子等幾十家企業(yè)正積極參與到CMP拋光材料的國產(chǎn)化替代工作之中。

鼎龍股份拋光液和拋光墊產(chǎn)品

目前來看，關稅對戰(zhàn)下雖然短期內(nèi)加劇CMP行業(yè)的成本壓力與市場波動，但中長期將加速國產(chǎn)替代進程。頭部企業(yè)憑借技術(shù)突破與全球化布局有望受益，而政策支持與內(nèi)需擴張為行業(yè)提供結(jié)構(gòu)性機會。

03.未來發(fā)展

在當前全球關稅升級與半導體產(chǎn)業(yè)博弈加劇的背景下，我國CMP行業(yè)既面臨挑戰(zhàn)也蘊含機遇。技術(shù)上，可通過“政產(chǎn)學研”聯(lián)合攻關，強化專利布局；供應鏈上，加速國產(chǎn)替代，建立“材料-設備-晶圓廠”垂直驗證體系，縮短認證周期。力爭早日實現(xiàn)CMP設備及材料國產(chǎn)化率的持續(xù)突破，并最終完成從“進口替代”到“技術(shù)輸出”的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型。

參考來源：粉體大數(shù)據(jù)研究、粉體網(wǎng)、CMP拋光資訊

（中國粉體網(wǎng)/山川）

注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知刪除