推薦碳化硅、氮化鎵靠邊站，最佳半導體材料出現(xiàn)了？

中國粉體網(wǎng)訊 據(jù)最新一期《科學》雜志，來自美國麻省理工學院、休斯頓大學和其他機構(gòu)的一個研究團隊進行的實驗表明，一種名為立方砷化硼的材料克服了硅作為半導體的兩個限制：為電子和空穴提供很高的遷移率，并具有良好的導熱性能。研究人員[更多]