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硅基氮化鋁

推薦北京大學(xué)采用化合積電高質(zhì)量氮化鋁薄膜破解GaN-on-Si制備難題

中國粉體網(wǎng)訊 憑借高功率、高頻工作環(huán)境下的優(yōu)良性能,氮化鎵(GaN)正在快速崛起,無論是在功率,還是射頻應(yīng)用領(lǐng)域。由于大尺寸硅(Si)基板具備低成本優(yōu)勢,且對現(xiàn)有CMOS工藝兼容,使得硅基氮化鎵(GaN-on-Si)成為市場[更多]

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