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氮化鋁鎵

推薦下一代功率電子材料--AlGaN

中國粉體網(wǎng)訊 到目前為止,SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)作為功率電子器件晶體管的半導(dǎo)體材料的研發(fā)已經(jīng)取得進展,并且已經(jīng)開始實用化。通常由輕元素構(gòu)成的半導(dǎo)體的介電擊穿電阻較高,但是如果將GaN中的一部分Ga替換為較輕的Al[更多]

資訊 碳化硅氮化鎵氮化鋁鎵第四代半導(dǎo)體MOCVD
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