中國粉體網(wǎng)訊 碳化硅（SiC）材料及其器件因其優(yōu)異的高溫、高頻、高耐壓、高功率和抗輻射性能，在新能源汽車、光伏、軌道交通和智能電網(wǎng)等領域前景廣闊。然而，其規(guī)�；瘧檬苤朴谳^高的成本，其中SiC襯底成本占比高達50%。深入分析[更多]
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