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P摻雜氧化物

推薦原位芯片氮化硅膜窗口為武漢理工大學新研究提供助力

中國粉體網(wǎng)訊 近日,武漢理工大學材料科學與工程國際化示范學院/材料復合新技術(shù)國家重點實驗室麥立強教授團隊利用微納器件研究了P摻雜氧化物在電化學活化過程中電導的連續(xù)演化,研究并證實了新形成的氧化物與P-O基團之間的誘導電子耦合[更多]

資訊 武漢理工大學麥立強教授P摻雜氧化物氮化硅芯片
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