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快速熱化學氣相沉積系統(tǒng) (RTCVD)
生產(chǎn)商:韓國Ecopia
RTCVD快速熱化學氣相沉積設備廣泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅等常見半導體薄膜的沉積和制備。
性能和特點:
- 溫度范圍:室溫 ~ 1500°C;
- 升溫速度:200°C/s;
- 氣體混合能力(帶有質(zhì)量流量計);
- 真空度:~10-6Torr;
暫無數(shù)據(jù)!