前言
斯達(dá)半導(dǎo)創(chuàng)始人沈華曾言：“我們選擇碳化硅賽道，正是看到其蘊(yùn)含的顛覆性能量?！睆膶?shí)驗(yàn)室的晶體生長(zhǎng)爐到疾馳的電動(dòng)汽車心臟，碳化硅的征途正契合著這個(gè)對(duì)能源效率極致追求的時(shí)代。它用材料科學(xué)的突破為電流賦予速度，以產(chǎn)業(yè)競(jìng)合的激情重塑能源轉(zhuǎn)換的規(guī)則。
大會(huì)來襲
第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)交流會(huì)
會(huì)議背景隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的革新速度也進(jìn)一步加快。當(dāng)前，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域正快速滲透，已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)。同時(shí)，我國(guó)“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，碳化硅半導(dǎo)體將在我國(guó)5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速
行業(yè)解讀
20億美元“打水漂”？日本大廠終止碳化硅業(yè)務(wù)計(jì)劃
瑞薩電子（Renesas）已決定終止其碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)計(jì)劃，原定于2025年量產(chǎn)的產(chǎn)品將不再推進(jìn)。
項(xiàng)目動(dòng)態(tài)
杰立方半導(dǎo)體（香港）有限公司提交的新型工業(yè)加速計(jì)劃申請(qǐng)已獲評(píng)委會(huì)支持。該項(xiàng)目計(jì)劃在香港建立第三代半導(dǎo)體碳化硅晶圓生產(chǎn)設(shè)施。
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國(guó)研院國(guó)儀中心與鼎極科技合作，開發(fā)雷射研磨技術(shù)，解決碳化硅（SiC）晶圓制程遇到的成本、效率與良率瓶頸。
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實(shí)力企業(yè)
技術(shù)突破
新技術(shù)！日本團(tuán)隊(duì)準(zhǔn)備用硅晶片廢料制造SiC
日本化學(xué)公司Resonac和日本東北大學(xué)一直在探索使用由硅晶片制造過程中產(chǎn)生的污泥和二氧化碳制成的SiC粉末作為生長(zhǎng)功率半導(dǎo)體用SiC單晶材料的原材料。
突破8N！這家企業(yè)的SiC粉體純度刷新行業(yè)記錄
中宜創(chuàng)芯宣布成功將碳化硅粉體純度突破8N，粉體純度提升至8N8（99.9999998%），刷新全球行業(yè)紀(jì)錄。
大咖分享
解決方案
碳化硅單晶片SiC
硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料，但與碳化硅（SiC）晶片相比，則顯得效率低下。碳化硅晶片現(xiàn)在已開始被多種應(yīng)用采納，特別是電動(dòng)汽車，以應(yīng)對(duì)開發(fā)高效率和高功率器件所面臨的能源和成本挑戰(zhàn).碳化硅晶片由純硅和碳組成，與硅相比具有三大優(yōu)勢(shì)：更高的臨界雪崩擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更大的導(dǎo)熱系數(shù)和更寬的禁帶。碳化硅晶
2~6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底
全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體材料及器件正處于快速發(fā)展期，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于5G通信、軌道交通、新能源汽車及充電樁、新能源、儲(chǔ)能、大數(shù)據(jù)中心、工控等下游領(lǐng)域。其中，半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于5G通信、雷達(dá)系統(tǒng)、導(dǎo)引頭、衛(wèi)星通信、戰(zhàn)機(jī)等領(lǐng)域，具有提升射頻范圍、超遠(yuǎn)距離識(shí)別、抗干擾以及高速、大容量信息傳遞等應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，被
碳化硅單晶生長(zhǎng)爐
碳化硅單晶生長(zhǎng)爐產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)高度自動(dòng)化程序，減少人工操作能靈活改動(dòng)溫場(chǎng)，滿足晶體長(zhǎng)大、長(zhǎng)快、長(zhǎng)厚要求內(nèi)置感應(yīng)線圈，提高耦合效率，更低能耗金屬真空腔室，更安全耐用產(chǎn)品概述天科合達(dá)目前已經(jīng)開發(fā)出了第五代SiC單晶生長(zhǎng)爐，該生長(zhǎng)爐為我司自主研發(fā)設(shè)計(jì)制造。爐體采用單室立式雙層水冷不銹鋼結(jié)構(gòu)，爐子整體結(jié)構(gòu)由真空系
JSSD系列感應(yīng)加熱PVT碳化硅單晶爐
◆設(shè)備采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可方便切換晶體生長(zhǎng)尺寸和石英腔室冷卻方式；◆全金屬密封結(jié)構(gòu)可以降低漏率；◆旋轉(zhuǎn)液動(dòng)力的冷卻方式提升了冷卻均勻性；◆高精度控溫控壓及遠(yuǎn)程監(jiān)控技術(shù)進(jìn)一步提升了設(shè)備自動(dòng)化程度。
4H-導(dǎo)電型碳化硅單晶襯底
天岳先進(jìn)不斷追求更高的晶體質(zhì)量和加工質(zhì)量更好的滿足客戶的需求目前可批量供應(yīng)6英寸產(chǎn)品8英寸產(chǎn)品正在研發(fā)中基本信息導(dǎo)電型晶型4H直徑（mm）150偏角（°）4厚度（μm）350表面狀態(tài)Epi-ready
碳化硅單晶爐
碳化硅單晶爐PVT碳化硅SiC單晶爐主要用于6英寸碳化硅SiC單晶材料的生長(zhǎng)，碳化硅具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率的優(yōu)勢(shì)，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，也是目前綜合性能最好、商品化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導(dǎo)體材料。第三代功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)在智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車、軌道交
高純半絕緣碳化硅單晶
我公司提供4寸、6寸高純半絕緣碳化硅單晶，可根據(jù)客戶需求的具體參數(shù)定制，包括尺寸要求和缺陷參數(shù)等，具體要求請(qǐng)與我公司銷售部門聯(lián)系。
碳化硅單晶生長(zhǎng)原料
根據(jù)客戶生產(chǎn)的碳化硅晶體類型，可以提供原材料的定制服務(wù)，晶體原材料的規(guī)格和技術(shù)要求，請(qǐng)與我公司銷售部門聯(lián)系。
高純碳化硅粉
高純碳化硅粉一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介：通過自主研發(fā)的碳化硅原料提純工藝，可在氣氛中對(duì)碳化硅進(jìn)行升華、冷凝、提純，能有效降低原料粉末中的雜質(zhì)，通過工藝條件的調(diào)整，將3N的原料提純至5N、6N不同級(jí)別的碳化硅粉料產(chǎn)品。二、產(chǎn)品參數(shù)：規(guī)格：3N（99.9%）、5N（99.999%）、6N（99.9999%）粒徑：10
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