中國(guó)粉體網(wǎng)訊 2025年8月21日，由中國(guó)粉體網(wǎng)主辦的“第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)”在蘇州·白金漢爵大酒店成功召開(kāi)！大會(huì)期間，中國(guó)粉體網(wǎng)記者有幸邀請(qǐng)到多位專家、企業(yè)界代表做客我們的“對(duì)話”欄目暢談碳化硅半導(dǎo)體前沿技術(shù)、裝備與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展，共同展望這一戰(zhàn)略性材料的無(wú)限潛能。本期為您分享的是安徽芯塔電子科技有限公司高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理周駿峰的專訪。
安徽芯塔電子科技有限公司高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理周駿峰
中國(guó)粉體網(wǎng)：周經(jīng)理，能否介紹一下芯塔電子核心的產(chǎn)品是什么？分別應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？
周經(jīng)理：芯塔電子已推出了近百種不同型號(hào)的SiC產(chǎn)品，其中包括30余種不同型號(hào)的SiC MOSFET產(chǎn)品。產(chǎn)品具有出色的熱性能和電氣性能，對(duì)標(biāo)國(guó)際主流廠商產(chǎn)品。同時(shí)，芯塔電子是國(guó)內(nèi)極少數(shù)SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)權(quán)威第三方全套AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證及高壓H3TRB可靠性雙重考核廠商之一�，F(xiàn)已推出第三代SiC MOSFET產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)創(chuàng)新。芯塔電子應(yīng)用設(shè)計(jì)方案同樣突出，可幫助客戶更好且高效地推出應(yīng)用碳化硅器件的電力電子終端產(chǎn)品。
面對(duì)下游客戶多樣化應(yīng)用場(chǎng)景，團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了豐富的單管及模組封裝形式（Toll、TOPAK、QDPAK、34mm），以更小尺寸、更低干擾、卓越熱管理與高可靠性，滿足多元市場(chǎng)需求。目前，芯塔電子產(chǎn)品已經(jīng)大批量導(dǎo)入新能源汽車、直流充電樁、光伏儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心電源和消費(fèi)電子等諸多領(lǐng)域標(biāo)桿企業(yè)，產(chǎn)品質(zhì)量和供貨能力深受客戶認(rèn)可及好評(píng)。
芯塔電子產(chǎn)品
中國(guó)粉體網(wǎng)：您認(rèn)為未來(lái)幾年，SiC功率半導(dǎo)體在中國(guó)市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿κ鞘裁�？芯塔電子面臨的最大挑戰(zhàn)又是什么？
周經(jīng)理：應(yīng)用端，碳化硅在新能源汽車領(lǐng)域持續(xù)深化應(yīng)用，800V高壓平臺(tái)車型加速普及，帶動(dòng)主驅(qū)逆變器模塊需求激增，系統(tǒng)效率提升至99.5%，續(xù)航里程增加5%-10%。中端車型通過(guò)“IGBT+SiC”混合方案實(shí)現(xiàn)成本與性能平衡，推動(dòng)技術(shù)下沉。
光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域成為第二增長(zhǎng)極，1500V系統(tǒng)中高壓SiC器件滲透率提升至25%，組串式逆變器效率突破99.2%，助力新能源發(fā)電降本增效。消費(fèi)電子領(lǐng)域突破顯著，AR/MR設(shè)備采用碳化硅散熱基板，解決微型化帶來(lái)的熱堆積難題；超充樁采用三電平拓?fù)浞桨�，損耗顯著降低。
同時(shí)，碳化硅器件在眾多新興場(chǎng)景完成多點(diǎn)突破，比如電焊機(jī)、電動(dòng)船舶、低空經(jīng)濟(jì)、特種電源及航天領(lǐng)域等，工業(yè)與特種領(lǐng)域成為差異化競(jìng)爭(zhēng)主戰(zhàn)場(chǎng)。這些技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)國(guó)產(chǎn)碳化硅從“跟跑”轉(zhuǎn)向“并跑”，為全球市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力提升奠定基礎(chǔ)。
發(fā)展所面臨挑戰(zhàn)主要有以下兩個(gè)方面：
▶ 技術(shù)迭代：碳化硅行業(yè)技術(shù)壁壘高，國(guó)際巨頭持續(xù)加碼高壓、車規(guī)級(jí)產(chǎn)品研發(fā)，公司需保持碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)領(lǐng)先性，同時(shí)加速3300V以上超高壓芯片及溝槽SiC MOS等前沿領(lǐng)域突破，避免技術(shù)代差風(fēng)險(xiǎn)。
▶ 市場(chǎng)內(nèi)卷：國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)能擴(kuò)張導(dǎo)致價(jià)格戰(zhàn)加劇，公司需持續(xù)構(gòu)建產(chǎn)品與技術(shù)差異化壁壘，平衡技術(shù)投入與盈利需求。
中國(guó)粉體網(wǎng)：在高門檻的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，芯塔電子如何通過(guò)專利布局和技術(shù)路線規(guī)劃構(gòu)建競(jìng)爭(zhēng)壁壘？
周經(jīng)理：芯塔電子通過(guò)"專利+技術(shù)+生態(tài)"三位一體策略構(gòu)建碳化硅領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)壁壘：
在專利布局上，圍繞SiC MOSFET核心工藝成功申請(qǐng)11項(xiàng)發(fā)明專利，覆蓋器件設(shè)計(jì)、封裝及應(yīng)用；
技術(shù)路線上采取"代際跨越"研發(fā)模式，第三代SiC MOS產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)芯片尺寸縮減32%并率先通過(guò)AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證，核心電性能優(yōu)勢(shì)突出，同時(shí)向上游材料端延伸優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)；
生態(tài)構(gòu)建方面深度綁定頭部客戶和戰(zhàn)略合作伙伴，形成從芯片研發(fā)到系統(tǒng)應(yīng)用的垂直閉環(huán)。通過(guò)工藝創(chuàng)新快速轉(zhuǎn)化量產(chǎn)、車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)反向?qū)牍I(yè)領(lǐng)域等差異化路徑，建立起技術(shù)領(lǐng)先性與市場(chǎng)準(zhǔn)入的雙重護(hù)城河，目前已在20余個(gè)細(xì)分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代。
中國(guó)粉體網(wǎng)：近些年下游客戶對(duì)功率器件供應(yīng)商的需求是否有變化？面對(duì)國(guó)內(nèi)外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，芯塔電子如何選擇目標(biāo)市場(chǎng)和客戶？
周經(jīng)理：近年來(lái)，下游客戶對(duì)功率器件供應(yīng)商的需求呈現(xiàn)三大顯著變化：一是對(duì)產(chǎn)品性能要求更高，特別是在車規(guī)級(jí)認(rèn)證、高溫可靠性等硬性指標(biāo)上日趨嚴(yán)格；二是更注重供應(yīng)鏈本土化和自主可控，碳化硅芯片國(guó)產(chǎn)化替代需求激增；三是對(duì)供應(yīng)商的綜合服務(wù)能力提出更高要求，包括定制化開(kāi)發(fā)、快速響應(yīng)和成本優(yōu)化能力。這些變化在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域尤為突出。
面對(duì)國(guó)內(nèi)外競(jìng)爭(zhēng)，芯塔電子采取差異化市場(chǎng)策略：在目標(biāo)市場(chǎng)選擇上，重點(diǎn)布局國(guó)產(chǎn)替代空間大的領(lǐng)域，如充電樁、算力電源等；在客戶策略上，優(yōu)先服務(wù)對(duì)技術(shù)創(chuàng)新和本土供應(yīng)鏈有強(qiáng)烈需求的標(biāo)桿客戶。同時(shí)，公司通過(guò)“技術(shù)+認(rèn)證+生態(tài)”三重優(yōu)勢(shì)構(gòu)建競(jìng)爭(zhēng)壁壘，利用本身在器件應(yīng)用方面多年的技術(shù)積累，以AEC-Q101等認(rèn)證獲取市場(chǎng)準(zhǔn)入，聯(lián)合下游頭部客戶及科研院所打造產(chǎn)業(yè)生態(tài)；通過(guò)與多個(gè)戰(zhàn)略伙伴深度合作，提升在光伏、充電樁等20余個(gè)細(xì)分領(lǐng)域的綜合服務(wù)能力。這種聚焦高增長(zhǎng)賽道、深耕頭部客戶的策略，有效規(guī)避了與國(guó)際巨頭的正面價(jià)格戰(zhàn)，實(shí)現(xiàn)了營(yíng)收翻倍增長(zhǎng)。
中國(guó)粉體網(wǎng)：國(guó)產(chǎn)SiC產(chǎn)能擴(kuò)張迅速，產(chǎn)品價(jià)格跌幅增快，您如何看待產(chǎn)業(yè)“內(nèi)卷”？
周經(jīng)理：短期看競(jìng)爭(zhēng)，長(zhǎng)期看格局。價(jià)格戰(zhàn)是國(guó)產(chǎn)替代初期的陣痛，但本質(zhì)是技術(shù)迭代的催化劑。企業(yè)若僅靠低價(jià)搶占低端市場(chǎng)，終將被淘汰；唯有聚焦核心技術(shù)突破（如車規(guī)級(jí)可靠性、高壓芯片設(shè)計(jì)），才能穿越周期。
內(nèi)卷倒逼高質(zhì)量發(fā)展。市場(chǎng)洗牌后，真正具備技術(shù)護(hù)城河的企業(yè)將主導(dǎo)高端應(yīng)用（如新能源、航空航天），而盲目擴(kuò)產(chǎn)者將出清。應(yīng)聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈上下游，推動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)制定和生態(tài)協(xié)同，讓國(guó)產(chǎn)SiC從“價(jià)格廝殺”轉(zhuǎn)向“價(jià)值競(jìng)爭(zhēng)”，最終在全球市場(chǎng)占據(jù)話語(yǔ)權(quán)。
在當(dāng)前形勢(shì)下，芯塔電子精準(zhǔn)錨定國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵痛點(diǎn)，深耕技術(shù)研發(fā)和客戶服務(wù)，與產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)達(dá)成深度合作，從材料、芯片制造到產(chǎn)品研發(fā)，構(gòu)建起緊密的產(chǎn)業(yè)生態(tài)閉環(huán)，形成國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈的技術(shù)和成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知?jiǎng)h除
