中國粉體網(wǎng)訊  7月30日，中電科半導(dǎo)體材料有限公司所屬山西爍科晶體有限公司（簡稱：爍科晶體）年產(chǎn)100萬毫米碳化硅單晶項(xiàng)目啟動(dòng)儀式在山西省太原市舉行。

年產(chǎn)100萬毫米碳化硅單晶項(xiàng)目是中國電子科技集團(tuán)有限公司與山西省人民政府戰(zhàn)略共建的央地合作典范，項(xiàng)目投產(chǎn)后將新增100萬mm碳化硅單晶和30萬片碳化硅襯底的產(chǎn)能，并快速實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化和12英寸碳化硅襯底的工程化應(yīng)用。

爍科晶體成立于2018年10月，是國內(nèi)從事第三代半導(dǎo)體材料SiC生產(chǎn)和研發(fā)的領(lǐng)軍企業(yè)，在國內(nèi)率先完成4、6、8英寸高純半絕緣SiC單晶襯底技術(shù)攻關(guān)，同時(shí)也是央企中國電子科技集團(tuán)有限公司“十二大創(chuàng)新平臺(tái)”之一。

到2020年，該公司的SiC晶片產(chǎn)量已達(dá)3萬余片，市場占有率超過50%。在近年來的發(fā)展過程中，公司逐漸形成了SiC粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線。

同時(shí)，爍科晶體在碳化硅導(dǎo)電型襯底領(lǐng)域也是全球的佼佼者，尤其是在8英寸碳化硅襯底領(lǐng)域成績斐然：2021年9月制備出國內(nèi)首塊8英寸碳化硅單晶，2022年3月又率先加工出8英寸碳化硅單晶襯底，2023年再次率先將8英寸碳化硅襯底厚度降至350微米。

2024年12月26日，山西爍科晶體有限公司成功研制出12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅單晶襯底，并同期研制成功12英寸（300mm）N型碳化硅單晶襯底。這是全球首次實(shí)現(xiàn)300 mm半絕緣SiC晶圓，標(biāo)志著超大尺寸SiC晶體生長和缺陷控制取得突破。

據(jù)消息，全球首片12英寸高純半絕緣碳化硅襯底的成功研制，圍繞碳化硅基底刻蝕制備衍射光波導(dǎo)鏡片的核心技術(shù)攻關(guān)，推動(dòng)碳化硅刻蝕衍射光波導(dǎo)產(chǎn)品的研發(fā)與量產(chǎn)。近年來，爍科晶體與歐洲、日本、韓國、中國臺(tái)灣等國家和地區(qū)的客戶簽訂長期訂單，國際市場前景向好。

2025年8月21日，中國粉體網(wǎng)將在蘇州舉辦第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)。屆時(shí)山西爍科晶體有限公司市場經(jīng)理劉曉星將帶來《碳化硅單晶襯底材料的發(fā)展及展望》的精彩報(bào)告，共同探討碳化硅單晶襯底的發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢，歡迎報(bào)名參會(huì)！

來源：半導(dǎo)體材料行業(yè)協(xié)會(huì)

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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