中國粉體網(wǎng)訊 目前電子元器件朝著小型化、高功率密度的方向不斷發(fā)展，同時也面臨著器件內部熱量迅速積累導致器件性能下降或燒損等問題。在氧化鋁、碳化硅、氮化硅、氮化鋁、莫來石、氧化鈹、鋁和銅等一系列導熱材料中，氧化鋁和氮化硅導熱率較低；碳化硅、莫來石和氧化鈹雖然導熱率較高，但碳化硅介電常數(shù)高；莫來石、氧化鈹、鋁和銅機械性能差，且氧化鈹有毒，鋁和銅不絕緣；氮化鋁陶瓷基板綜合性能優(yōu)異，具有理論導熱系數(shù)高——理論值為320 W/(m k)、優(yōu)異的絕緣性（>1016 Ω/m)、機械強度較高、介電常數(shù)低（1 MHz時為8.8）、熱膨脹系數(shù)較小（4.3x10-6/K）、耐腐蝕等優(yōu)勢，是新一代高集成度和大功率器件理想的導熱基板材料。
高品質氮化鋁粉體是獲得高導熱氮化鋁陶瓷基板的先決條件，目前高端AlN粉體的制備技術基本被日本、美國、德國等發(fā)達國家壟斷，并進行嚴格技術封鎖，其AlN粉體具有純度高、粒度均勻性好、燒結性能好、收縮一致性好等優(yōu)點，占據(jù)全球90%市場份額，尤其是日本德山、東洋鋁業(yè)等行業(yè)巨頭。近年來國內企業(yè)已實現(xiàn)AlN粉體量產(chǎn)，但產(chǎn)品性能指標遠不及日本德山Ｅ級粉，短期內，國內高導熱氮化鋁陶瓷基板用氮化鋁粉體依賴進口的局面難以徹底改變。目前，高性能AlN粉體生產(chǎn)方法有很多，包括化學氣相沉積法、碳熱還原法、直接氮化法、激光燒蝕法及電弧放電法，應用于AlN粉體規(guī)模生產(chǎn)的主要有碳熱還原法及鋁粉直接氮化法，如日本德山、日本東洋鋁業(yè)等企業(yè)。但鋁粉直接氮化法制備的AlN粉末形貌不規(guī)則、存在團聚、粒度分布寬。相較而言，碳熱還原法制備的AlN粉近球形、純度高、燒結活性高、粉末粒度細小、粒徑分布窄。
半導體及電子信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展對核心材料的性能提出了更高要求。陶瓷基板作為功率半導體器件的關鍵封裝材料，其導熱性能、機械強度、可靠性和精密程度直接決定了終端產(chǎn)品的性能與壽命。針對材料研發(fā)、制備工藝、檢測技術、應用場景等核心議題，中國粉體網(wǎng)將于2025年7月29日在江蘇無錫舉辦2025高性能陶瓷基板關鍵材料技術大會。屆時，廈門鉅瓷科技有限公司技術副總監(jiān)王月隆將作題為《高品級氮化鋁粉末規(guī)�；苽浼皯谩返膱蟾妫瑘蟾嬷袑牡X特性及粉末制造方法、氮化鋁粉末規(guī)模化制備的關鍵問題、氮化鋁粉末及陶瓷應用三個方面展開。
專家簡介：
1991年生，博士研究生，現(xiàn)任廈門鉅瓷科技有限公司技術副總監(jiān)。主要從事氮化物粉體研究、制備和應用，成功開發(fā)出滿足不同要求的氮化鋁微米粉，客戶已成功將其應用于半導體設備行業(yè)，光伏行業(yè)，新能源汽車行業(yè)等，發(fā)表學術論文10篇，授權（申請）專利8項。
參考來源：
李寬寬等，高品質氮化鋁粉體材料制備工藝及應用性能研究
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山林）
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