中國粉體網訊  在碳化硅生產流程中，襯底占整個碳化硅產業(yè)價值量的46%，為核心環(huán)節(jié)，類型可分為導電型和半絕緣型襯底。導電型SiC襯底可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件，應用在新能源汽車，軌道交通以及大功率輸電變電等領域；半絕緣型SiC襯底可進一步制成HEMT等微波射頻器件，應用于5G通訊、無線電探測等領域。

根據Wolfspeed的預測，預計至2026年，全球碳化硅材料(襯底+外延)市場規(guī)模將達17億美元，相較于2022年提升近2.5倍。襯底作為碳化硅產業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭之地，目前我國碳化硅產業(yè)整體處于早期階段，本土企業(yè)已開始加大布局力度，在技術升級與下游客戶導入上均實現(xiàn)突破，國產替代正有序推進。

山東天岳先進科技股份有限公司

天岳先進成立于2010年11月，主營業(yè)務是寬禁帶半導體（第三代半導體）碳化硅襯底材料的研發(fā)、生產和銷售，產品可應用于微波電子、電力電子等領域。

天岳先進主要出貨產品是半絕緣型碳化硅襯底，在2020年上半年，天岳先進的半絕緣型碳化硅襯底占到全球30%的份額，僅次于II-VI的35%和Wolfspeed的33%排名第三。

產業(yè)進展：目前，6英寸導電型襯底已通過客戶驗證。2020年，天岳先進啟動了8英寸碳化硅襯底的研發(fā)，并在ICSCRM2022上宣布成功研發(fā)了8英寸碳化硅襯底。目前，8英寸產品雖然未達到量產的程度，但項目研發(fā)進展順利。上海臨港工廠預計2023年內投產，2026年全部達產后年產導電型SiC晶腚2.6萬塊，對應導電型碳化硅襯底產品年產能將超過30萬片。

三安光電股份有限公司

三安光電成立于2000年11月，于2008年7月在上海證券交易所掛牌上市。通過收購、合作、自研等方式，三安光電現(xiàn)已完成了碳化硅全產業(yè)鏈的建設，包括長晶襯體制作、外延生長、芯片制作、封裝等環(huán)節(jié)。

產業(yè)進展：湖南三安半導體項目包括碳化硅長晶、襯底、外延、芯片等全產業(yè)鏈配套，一期項目長晶、襯底、外延、芯片車間已全線正式批量生產，月產能力2萬片；二期工程預計2023年年底完成，全面達產后將實現(xiàn)50萬片6寸碳化硅晶圓的年產能。據2022年年報顯示，湖南三安電力電子碳化硅產能已達 12,000 片/月。

北京天科合達半導體股份有限公司

天科合達于2006年9月由新疆天富集團、中國科學院物理研究所共同設立，是一家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產和銷售的高新技術企業(yè)。擁有一個研發(fā)中心和一個集晶體生長-晶體加工-晶片加工-清洗檢測的全套碳化硅晶片生產基地；全資子公司—新疆天科合達藍光半導體有限公司位于新疆石河子市，主要進行碳化硅晶體生長。

產業(yè)發(fā)展：2020年開始開展8英寸導電型SiC單晶襯底的研發(fā)工作，目前已突破了8英寸晶體擴徑生長和晶片加工等關鍵技術難題，并在2022年11月發(fā)布8英寸導電型SiC單晶襯底。另外，天科合達還計劃在2023年實現(xiàn)8英寸襯底產品的小規(guī)模量產。2022年產能約12-15萬片/年，6英寸占比約三分之二，導電型為主。

山西爍科晶體有限公司

爍科晶體成立于2018年，是國內從事第三代半導體材料碳化硅生產和研發(fā)的領軍企業(yè)。公司通過自主創(chuàng)新和自主研發(fā)全面掌握了碳化硅生長裝備制造、高純碳化硅粉料制備工藝，N型碳化硅單晶襯底和高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了碳化硅粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產線。

產業(yè)進展：已實現(xiàn)4、6英寸高純半絕緣及導電型碳化硅單晶襯底產業(yè)化生產；在國內率先突破8英寸高純半絕緣及導電型碳化硅單晶襯底制備工藝技術，并已實現(xiàn)小批量銷售，工藝技術達到國際領先。此外，爍科晶體也計劃引入戰(zhàn)略投資，擴大融資，爭取2023年上市，借助資本的力量把爍科的三代半導體事業(yè)做大做強。

露笑科技股份有限公司

露笑科技早前是一家主營業(yè)務為漆包線的企業(yè)，2018年開始布局碳化硅產業(yè)，公司碳化硅業(yè)務主要為6英寸導電型碳化硅襯底片的生產、銷售，目前公司已經安裝280臺長晶爐，碳化硅項目正常推進中。2020年宣布與合肥市長豐縣人民政府共同投資建設第三代碳化硅產業(yè)園，包括生產碳化硅襯底、外延片，總投資100億元。

產業(yè)發(fā)展：露笑科技已經實現(xiàn)6英寸導電型碳化硅襯底片的批量生產。2022年年報中，露笑科技表示，公司已經安裝280臺長晶爐，碳化硅項目正常推進中。2022年6月露笑科技定增完成，實際募資25.10億元，主要用于第三代功率半導體（碳化硅）產業(yè)園項目、大尺寸碳化硅襯底片研發(fā)中心項目以及補充流動資金，預計能夠在2023年實現(xiàn)年產20萬片的產能規(guī)劃。

浙江東尼電子股份有限公司

東尼電子成立于2008年，2017年在上交所主板上市，專注于超微細合金線材、金屬基復合材料及其它新材料的應用研發(fā)、生產與銷售。從2017年開始儲備研發(fā)碳化硅襯底，與南京航空航天大學簽訂《產學研合作協(xié)議》，以及聘請中國臺灣中央研究院物理研究所博士葉國偉博士和張忠杰博士牽頭，技術由企業(yè)自主研發(fā)并已獲得認可，打樣送檢結果良好。

產業(yè)進展：2022年東尼電子碳化硅襯底材料已形成階段性成果，開始小批量供貨�！澳戤a12萬片碳化硅半導體材料”項目尚在建設期，該項目技術要求高、迭代快，受研發(fā)進度、下游驗證周期、項目組織管理、設備安裝調試、通線試產、量產達標以及市場開發(fā)等多方面因素影響，存在不確定性，項目達產可能延期。

浙江晶盛機電股份有限公司

晶盛機電圍繞硅、藍寶石、碳化硅三大主要半導體材料開發(fā)一系列關鍵設備，并延伸至化合物襯底材料領域，為半導體、光伏行業(yè)提供全球極具競爭力的高端裝備和高品質服務。

產業(yè)進展：6英寸導電型襯底已進入試驗產線，產品通過下游部分客戶驗證。已掌握行業(yè)領先的8英寸碳化硅襯底技術和工藝，并建設了6-8英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線，通過持續(xù)加強技術創(chuàng)新和工藝積累，逐步實現(xiàn)大尺寸碳化硅晶體生長和加工技術的自主可控。晶盛機電總投資50億的碳化硅襯底項目，主要生產6英寸及以上導電型和半絕緣型碳化硅襯底晶片，達產可實現(xiàn)6英寸碳化硅晶片40萬片/年。

河北同光半導體股份有限公司

河北同光成立于2012年，專業(yè)從事第三代半導體材料碳化硅襯底的研發(fā)和生產。公司主要產品包括導電型、半絕緣型碳化硅襯底，是國內主要的碳化硅襯底生產企業(yè)。

產業(yè)發(fā)展：2020年3月，河北同光與淶源縣人民政府簽署協(xié)議，共建年產10萬片直徑4-6英寸碳化硅單晶襯底項目，核心產品為6英寸導電型碳化硅襯底，2021年8月一期已投產。此外，河北同光謀劃建設2000臺碳化硅晶體生長爐生長基地和年產60萬片碳化硅單晶襯底加工基地，到2025年末實現(xiàn)滿產運營后，預計新增產值40-50億元。

北京世紀金光半導體有限公司

北京世紀金光半導體有限公司成立于2010年，其前身為中原半導體研究所。世紀金光致力于第三代半導體碳化硅襯底材料和功率器件的研發(fā)與生產，是國內目前率先實現(xiàn)第三代半導體碳化硅全產業(yè)鏈貫通、規(guī)模量產6英寸導電型碳化硅襯底與即將量產MOSFET的企業(yè)。

產業(yè)發(fā)展：世紀金光碳化硅6英寸單晶已量產。2021年7月，世紀金光投資的第三地半導體碳化硅芯片項目，主要建設年產22萬片6~8英寸碳化硅芯片生產線。2022年9月初，子公司合肥世紀金芯年產3萬片6英寸碳化硅單晶襯底項目投產；2022年第四季度6英寸導電型單晶襯底產品正式交付客戶，持續(xù)提升產品綜合良率和產量；2022年9月底，世紀金光推出第二代1200V SiC MOSFET器件CGE2M120080。

來源：各大企業(yè)官網、年報、企業(yè)公眾號、中國粉體網

DT半導體：研報|襯底篇：工欲善其事必先利其器，碳化硅襯底市場群雄逐鹿

（中國粉體網編輯整理/空青）

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