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關(guān)于碳化硅（SiC）外延片碳化硅外延片以碳化硅單晶片為襯底，通常采用化學(xué)氣相沉積（CVD）方法在晶片上沉積一層單晶，形成外延片。 其中，碳化硅外延是通過(guò)在導(dǎo)電碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層來(lái)制備，進(jìn)一步制作成功率器件。 2. 碳化硅外延片規(guī)格我司可提供4、6英寸N型4H-SiC外延片。該外延片禁帶寬度大、飽和電子飄移速度高、存在高速二維電子氣、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高。這些性能使得器件耐高溫、耐高壓、開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低、體積小、重量輕。 3. SiC 外延應(yīng)用 SiC外延片主要用于肖特基二極管（SBD）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、雙極結(jié)型晶體管（BJT）、晶閘管（SCR）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），應(yīng)用于低壓、中壓和高壓領(lǐng)域。目前，用于高壓領(lǐng)域的SiC外延片在世界范圍內(nèi)處于研發(fā)階段。
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