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6英寸快速退火爐RTP
LH-RTA-E特點:E系列半自動快速退火爐，軟件控制取放片，適用于**6英寸(150mm*150mm)及以下尺寸硅片、第二代、第三代化合物材料等(包括但不限于，磷化銦，砷化鎵，碳化硅，氮化鎵等各類襯底和外延片)，擁有出色的熱源和結構設計。
設備主要規(guī)格(Features):
1.**6英寸 Wafer(單腔體**滿足150mm*150mm材料進行加熱處理);2.冷卻方式包括水冷和氮氣吹掃(循環(huán)常溫水冷卻，軟件可視化監(jiān)控管理，防止外壁過熱，內置氮氣管路，吹掃腔體，保持清潔，極速降溫);
3.MFC控制，1-5路制程氣體。(品牌MFC控制器，內置多路氣氛管路，可定制開通，滿足各類測試工藝需求);4.退火溫度范圍 300℃-1000℃(常規(guī)硅基材料溫度適用于850℃，第三代半導體材料**可到1350℃)5.升溫速率 ≤150℃/秒(升溫速度隨不同的材料及裝置會有差異，標準數(shù)據是裸片放置內測量后得出，150攝氏度每秒是常規(guī)溫度速率，加熱設備的極限會更高);
暫無數(shù)據！
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