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PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備品牌
鵬城微納產(chǎn)地
沈陽(yáng)樣本
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PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長(zhǎng)；采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。
設(shè)備用途和功能特點(diǎn)
1、該設(shè)備是高真空單頻或雙頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD薄膜設(shè)備，主要用于制備氮化硅和氧化硅薄膜。
2、設(shè)備保護(hù)功能強(qiáng)，具備真空系統(tǒng)檢測(cè)與保護(hù)、水壓檢測(cè)與保護(hù)、相序檢測(cè)與保護(hù)、溫度檢測(cè)與保護(hù)。
3、配置尾氣處理裝置。
設(shè)備安全性設(shè)計(jì)
1、電力系統(tǒng)的檢測(cè)與保護(hù)
2、設(shè)置真空檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)功能
3、溫度檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)
4、冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測(cè)和流量檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)
設(shè)備技術(shù)指標(biāo)
| 類(lèi)型 | 參數(shù) |
|---|---|
| 樣片尺寸 | ≤φ8英寸（或多片2英寸） |
| 樣片加熱臺(tái)加熱溫度 | 室溫～ 600℃±0.1℃ |
| 真空室極限真空 | ≤7×10-5Pa |
| 工作背景真空 | ≤8×10-4Pa |
| 設(shè)備總體漏放率 | 停泵12小時(shí)后，真空度≤10Pa |
| 樣品、電極間距 | 5mm ～ 50mm在線(xiàn)可調(diào) |
| 工作控制壓強(qiáng) | 10Pa ～ 1500Pa |
| 氣體控制回路 | 根據(jù)工藝要求配置 |
| 單頻電源的頻率 | 13.56MHz |
| 雙頻電源的頻率 | 13.56MHz/400KHz |
工作條件
| 類(lèi)型 | 參數(shù) |
|---|---|
| 供電 | 三相五線(xiàn)制 AC 380V |
| 工作環(huán)境溫度 | 10℃～ 40℃ |
| 氣體閥門(mén)供氣壓力 | 0.5MPa ～ 0.7MPa |
| 質(zhì)量流量控制器輸入壓力 | 0.05MPa ～ 0.2MPa |
| 冷卻水循環(huán)量 | 0.6m3/h 水溫18℃～ 25℃ |
| 設(shè)備總功率 | 7kW |
| 設(shè)備占地面積 | 2.0m ～ 2.0m |
單室與多室PECVD設(shè)備
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