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氮化鋁晶體生長(zhǎng)爐
氮化鋁晶體生長(zhǎng)爐

參考價(jià)格

面議

型號(hào)

氮化鋁晶體生長(zhǎng)爐

品牌

哈爾濱科友

產(chǎn)地

黑龍江

樣本

暫無(wú)
哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司

會(huì)員

|

第2年

|

生產(chǎn)商

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核心參數(shù)
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設(shè)備概述

氮化鋁晶體生長(zhǎng)爐主要用于物理氣相傳輸法(PVT)生長(zhǎng)大尺寸、高質(zhì)量AlN單晶。

設(shè)備優(yōu)勢(shì)

1、建立溫場(chǎng)與AlN半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)的精準(zhǔn)關(guān)系,揭示晶體結(jié)晶和動(dòng)力學(xué)過(guò)程,解決擴(kuò)徑難、易開(kāi)裂等生長(zhǎng)難點(diǎn)科學(xué)問(wèn)題。

2、優(yōu)化坩堝和溫場(chǎng)梯度結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),實(shí)施動(dòng)態(tài)檢測(cè)晶體生長(zhǎng)過(guò)程和溫場(chǎng)邊界條件,自主搭建國(guó)際上**大尺寸AlN單晶生長(zhǎng)爐。

3、解析AlN晶體缺陷結(jié)構(gòu)和性能參數(shù)之間的關(guān)系,建立高質(zhì)量、低缺陷AlN半導(dǎo)體單晶的退火工藝,有力解決AlN晶體缺陷富集的難點(diǎn)問(wèn)題。

設(shè)備參數(shù)

反應(yīng)器尺寸直徑500mm x 900mm電源頻率,HZ50±1

**操作溫度2600° C

(氬氣中)

相數(shù)3
工作氣體氬氣,氮?dú)?/span>壓縮氣體,Mpa0.6
**真空值 Torr10-5 Torr**功率,kw50
電源功率 kw75kw晶體生長(zhǎng)天數(shù),天7
電源工作頻率 kHz15kHz氮?dú)庀牧?,m3/爐≤6
自動(dòng)化參數(shù)控制系統(tǒng)
電極接法
冷卻系統(tǒng)20kW冷卻裝置(閉合電路)設(shè)備外形尺寸(長(zhǎng)x寬x高)mm1920x920x2790
電源電壓,V380±19**電流,A90
輸出電壓,V500-550



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10分

易用性

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