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PVT碳化硅SiC單晶爐主要用于6英寸碳化硅SiC單晶材料的生長，碳化硅具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優(yōu)勢，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導體器件的優(yōu)良半導體材料，也是目前綜合性能**、商品化程度**、技術*成熟的第三代半導體材料。
第三代功率半導體器件已經在智能電網、電動汽車、軌道交通、新能源并網、開關電源、工業(yè)電機以及家用電器等領域得到應用，并展現出良好的發(fā)展前景。國際**企業(yè)已經開始部署市場，全球新一輪的產業(yè)升級已經開始，正在逐漸進入第三代半導體時代。
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